HBM(High Brandwidth Memory, 고대역 메모리)가 연일 화제다. 컴퓨팅 성능에 대한 니즈가 높아지면서 메모리를 적층한 방식에 대해 시장의 반응이 뜨겁다. 삼성전자와 SK하이닉스와 같은 한국 기업들이 HBM 분야를 이끌어나가고 있어 한국 언론의 반응이 더 크게 느껴진다.

반도체의 성능을 높이기 위해 기술이 고도화되면서, 반도체를 3D로 쌓거나(적층), 7나노 이하 최신 반도체 공정 기술을 바탕으로 세밀하게 트랜지스터 간격을 좁혀 집적도(density integration)를 높이는 방법이 있다. 

이러한 방법들을 통해 데이터 전송을 빠르게 진행하고, 소형화와 높은 성능, 저전력 소모를 꾀할 수 있다는 장점이 있으나, 칩 내부의 전력 밀도가 증가하게 되면서 열 발생이 늘어나게 되고, 이를 제대로 통제하지 못하면 칩 내부에 있는 소자 성능이 떨어지고, 손상이 발생할 수 있다.

칩 내부에서 열이 발생하는 것은 크게 3가지 유형이 있는데, 전류가 흐르면서 발생하는 저항에 따른 열이 있고, 트랜지스터가 스위칭할 때 발생하는 열, 소자가 작아질 때 누설되는 전류에 따른 열 발생이 그것이다.

칩에...