반도체 공정 미세화가 진행되며 트렌지스터의 밀도가 매우 높아지고 있습니다. 미세 공정이 업그레이드될 때마다 '10나노', 22나노' 등의 이름이 붙게 되는데, 이런 기술 명명은 소자간 거리(트랜지스터의 게이트 길이)를 기준으로 매겨졌죠. 이 거리가 가까울수록 더 많은 트랜지스터를 작은 공간 안에 넣을 수 있고, 더 좋은 성능을 냅니다. 최근의 반도체 공정 기술의 발전은 소자간 거리 축소가 아니라 소자의 형태 변화로 이뤄졌습니다. 반도체 뉴스를 보면 한 번쯤 접해보셨을 핀펫(FinFET)이 그 예죠. 반도체 미세화 기술의 방향성 변경에 따라 n나노 기술(process node)의 명명이 '소자간 거리 기준'이 아니라, '공정의 성능 향상폭이 이정도의 성능 향상에 대응한다'로 바뀌게 되었습니다.(참고: WikiChip) 문제는 이 새로운 공정 이름의 기준이 회사마다 다르다는 점입니다. 아래 도표는 인텔, 삼성, TSMC의 반도체 트랜지스터 밀도를 각 회사가 명명한 나노미터 기술에...